Bi Carbide Silic — Briquet Khử Oxy Hòa Tan Có Kiểm Soát

Bi carbide silic giải quyết một thách thức cụ thể trong kiểm soát quá trình luyện thép: nhu cầu khử oxy liên tục, dự đoán được mà không có đỉnh hòa tan nhanh đặc trưng của hạt SiC rời. Bằng cách ép chặt carbide silic tinh khiết cao thành các briquet cầu đặc, chúng tôi thiết kế hồ sơ hòa tan để phân phối silic và carbon trong khoảng 3-8 phút trong điều kiện lò điển hình, thay vì cửa sổ hòa tan 30-90 giây của hạt rời. Sự giải phóng có kiểm soát này cho phép nhà luyện kim duy trì hoạt động oxy ổn định hơn trong bể thép và giảm nguy cơ vượt quá thông số silic và carbon mục tiêu.

Dạng bi ép chặt cũng cung cấp những lợi thế thực tế đáng kể trong vận chuyển vật liệu và logistics nhà máy. Khác với vật liệu hạt rời có thể phân loại theo kích thước hạt trong quá trình vận chuyển và lưu trữ, mỗi bi SiC chứa hỗn hợp carbide silic đồng nhất với thành phần và mật độ nhất quán. Các bi chảy tự do qua máng hợp kim tiêu chuẩn và hệ thống cấp liệu tự động mà không gặp các vấn đề tạo cầu và tắc ống gây khó khăn cho bột mịn. Cường độ nén cao (tối thiểu 80 N mỗi bi) đảm bảo chúng chịu được ứng suất cơ học của vận chuyển hàng loạt, vận chuyển băng chuyền và nạp lò mà không tạo hạt mịn làm giảm hàm lượng SiC hiệu quả.

Đối với các xưởng đúc sản xuất gang cầu và gang compact graphite, bi carbide silic cung cấp một kết hợp lợi ích đặc biệt có giá trị. Giải phóng silic dần dần giúp duy trì hàm lượng silic cơ bản trong các kỳ giữ kéo dài phổ biến trong vận hành đúc, trong khi đóng góp carbon đồng thời hỗ trợ cân bằng carbon tương đương quan trọng cho sự hình thành hạt nhân graphit đúng cách. Dạng bi cũng loại bỏ thất thoát bụi và đổ vers associated với SiC rời, có thể lên đến 3-5% lãng phí vật liệu trong vận hành xử lý đúc điển hình. Mỗi lô sản xuất bi SiC của chúng tôi được kiểm tra về hàm lượng SiC, cường độ nén và tính đồng nhất kích thước, với đầy đủ chứng nhận được cung cấp.